Silicon Carbide/Polysilazane Composite: Effect of Temperature on the Densification, Phase, and Microstructure Evolution

This paper reports a route to suppress the grain growth in silicon carbide (SiC) during its sintering by combining it with polysilazane (PSZ). SiC was mixed with PSZ in a 1:1 weight ratio and sintered at 1600, 1700, and 1800 °C in a hot-pressing furnace. A satisfactory density was obtained at sinter...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Fiqhi Fauzi, Alfian Noviyanto, Pipit Fitriani, Amirudin Wibowo, Toto Sudiro, Didik Aryanto, Nurul Taufiqu Rochman
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Department of Chemistry, Universitas Gadjah Mada 2022-01-01
Շարք:	Indonesian Journal of Chemistry
Խորագրեր:	silicon carbide polysilazane sintering microstructure
Առցանց հասանելիություն:	https://jurnal.ugm.ac.id/ijc/article/view/69118
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!