Excitonic States in GaAs/Al<i>_x</i>Ga₁₋<i>_x</i>As Quantum Wells: Direct Coulomb Interaction Modeling via Finite Element Electrostatics and Parametric Analysis Under Impurity and Field Effects

This study presents a comprehensive numerical investigation of excitonic states in GaAs quantum wells embedded in <inline-formula><math xmlns="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><semantics><msub><mi>Al</mi><mi>x</mi></msub></semantics></math></inline-formula><inline-formula><math x...

Descripció completa

Dades bibliogràfiques

Autors principals:	Fabian Andres Castaño, David Laroze, Carlos Alberto Duque
Format:	Artigo
Idioma:	Inglês
Publicat:	MDPI AG 2025-09-01
Col·lecció:	Nanomaterials
Matèries:	exciton quantum well binding energy shallow impurities finite element method COMSOL-Multiphysics
Accés en línia:	https://www.mdpi.com/2079-4991/15/17/1345
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!