High Power 190 GHz Frequency Doubler Based On GaAs Schottky Diode
The research on high power 190 GHz doubler based on the GaAs Schottky diodes is proposed in this paper. The frequency doubler comprises a improved diode configuration that increases the number of anodes by changing the diode arrangement to improve power handling capacity. Electromagnetic and thermal...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IEEE
2024-01-01
|
| தொடர்: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://ieeexplore.ieee.org/document/10663496/ |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|