Terfenol-D和Cymbal迭层器件的磁电耦合效应
报道一种由Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)和Cymbal组成的新型器件.在器件中Cymbal位于两片Terfenol-D之间.在横向极化和横向磁化的模式(T-T)下,其磁电电压系数在0.5kOe的偏置磁场作用下为41.0mV/Oe(1kHz),大于Terfenol-D/PZT/Terfenol-D结构的磁电电压系数.磁电电压系数提高的原因起源于具有高压电系数的Cymbal和高磁致伸缩系数的Terfenol-D之间的耦合.
Збережено в:
| Автори: | , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Editorial Department of Journal of Sichuan University (Natural Science Edition)
2005-01-01
|
| Серія: | 四川大学学报. 自然科学版 |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://science.scu.edu.cn/thesisDetails?columnId=156453133&Fpath=home&index=0 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|