M‐site dependent terahertz intrinsic absorption in MXenes

Abstract Ultrathin terahertz (THz) absorbing films are critical as building blocks for THz devices and systems. Although few‐layer Ti3C2Tx MXene assemblies have approached the terahertz (THz) intrinsic absorption limit, it remains important to explore the THz intrinsic absorbing properties of other...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Yang Fei, Qiuxiang Wang, Feng Wang, Guozheng Zhang, Min Hu, Tianpeng Ding, Tao Zhao, Xu Xiao
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley 2025-04-01
Seria:	InfoMat
Hasła przedmiotowe:	conductivity electron effective mass MXene terahertz absorption terahertz mobility
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/inf2.12654
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!