Modeling of nanoheterojunction betavoltaic cell on GaN and GaP with Si and 3C-SiC/Si

In this paper, the electrophysical properties and efficiency of energy converters — betavoltaic elements, which contain a GaN and GaP heterojunction on Si and 3C-SiC/Si substrates, are modeled. For conversion into electrical energy, external 63Ni or internal 14C radioactive sources with a test speci...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Mikhail V. Dolgopolov, Alexander S. Chipura
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Samara National Research University 2023-12-01
Seria:	Вестник Самарского университета: Естественнонаучная серия
Hasła przedmiotowe:	analytical modeling nanoheterojunction heterostructure gallium nitride gallium phosphide betavoltaic element betavoltaic converter nickel-63 radionuclide carbon-14 radionuclide radioactivity density betavoltaic battery
Dostęp online:	https://journals.ssau.ru/est/article/viewFile/27152/10349
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!