ESTUDIO DE LOS ALCANCES Y LA VALIDEZ DE LA APROXIMACIÓN DE SIMMON-TAYLOR EN EL MODELADO DE DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES DESORDENADOS
La performance de los dispositivos electrónicos de materiales amorfos es altamente dependiente de la densidad de estados presente dentro de la banda prohibida (gap) que contiene una distribución continua compuesta de dos colas exponencialmente decrecientes y estados profundos. La carga atrapada en l...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , |
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| Format: | Artigo |
| Język: | Espanhol |
| Wydane: |
CEILAP-UNIDEF-CONICET-CITEDEF
2013-07-01
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| Seria: | Anales (Asociación Física Argentina) |
| Dostęp online: | https://anales.fisica.org.ar/index.php/analesafa/article/view/1040 |
| Etykiety: |
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