Mitigation of interfacial dielectric loss in aluminum-on-silicon superconducting qubits
Abstract We demonstrate aluminum-on-silicon planar transmon qubits with time-averaged T 1 energy relaxation times of up to 270 μs, corresponding to Q = 5 million, and a highest observed value of 501 μs. Through materials analysis techniques and numerical simulations we investigate the dominant sourc...
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| Principais autores: | , , , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Nature Portfolio
2024-08-01
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| coleção: | npj Quantum Information |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1038/s41534-024-00868-z |
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