New generation of microelectronic silicon temperature sensors
Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low a...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Politekhperiodika
2003-06-01
|
| Seria: | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/1276 |
| Etykiety: |
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|