কিউআর কোড

Parameter Extraction and Compact Modeling of 1/f Noise for Amorphous ESL IGZO TFTs

In this paper, the flicker noise properties of bottom-gate ESL structured amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) from two different technologies have been studied and modeled. Model development is carried out by adapting the Unified Model parameter Extraction Method (UMEM), develope...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Wondwosen E. Muhea, Gerard U. Castillo, Harold C. Ordonez, Thomas Gneiting, Gerard Ghibaudo, Benjamin Iniguez
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: IEEE 2020-01-01
মালা:IEEE Journal of the Electron Devices Society
বিষয়গুলি:
a-IGZO
flicker noise
model
TFT
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ieeexplore.ieee.org/document/8974237/
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি