Simulation and Experimental Study of the Single-Pulse Femtosecond Laser Ablation Morphology of GaN Films
Gallium nitride (GaN) exhibits distinctive physical and chemical properties that render it indispensable in a multitude of electronic and optoelectronic devices. Given that GaN is a typical hard and brittle material that is difficult to machine, femtosecond laser technology provides an effective and...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
MDPI AG
2025-01-01
|
| தொடர்: | Micromachines |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://www.mdpi.com/2072-666X/16/1/85 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|