Hydrogenated n-Channel Low Temperature Polycrystalline Silicon TFTs as Ultraviolet Dosimeters
N-channel thin film transistors (TFTs) fabricated with hydrogenated low temperature polycrystalline silicon (LTPS) were exposed to ultraviolet (UV) radiation to a cumulative dose up to 16 J/cm<sup>2</sup>. The effect of radiation on the electrical characteristics of the devices was monitored after t...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IEEE
2021-01-01
|
| தொடர்: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9444331/ |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|