Low Interface Trapped Charge Density for AlO/&#x03B2;-GaO (001) Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor<sub/><sub/><sub/><sub/>

In this letter, high-performance Al2O3/<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\beta$ </tex-math></inline-formula>-Ga2O3 (001) metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor has been demonstrated. The capacitance-voltage (C&#x2013;V) curves of the Al2O3/<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Những tác giả chính:	Qihao Zhang, Yisong Shen, Jiangwei Liu, Chunming Tu, Dongyuan Zhai, Min He, Jiwu Lu
Định dạng:	Artigo
Ngôn ngữ:	Inglês
Được phát hành:	IEEE 2022-01-01
Loạt:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Những chủ đề:	β-Ga₂O₃ Al₂O₃ MIS capacitor interface trapped charge density
Truy cập trực tuyến:	https://ieeexplore.ieee.org/document/9916252/
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!