Low Interface Trapped Charge Density for AlO/&#x03B2;-GaO (001) Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor<sub/><sub/><sub/><sub/>

In this letter, high-performance Al2O3/<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$\beta$ </tex-math></inline-formula>-Ga2O3 (001) metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor has been demonstrated. The capacitance-voltage (C&#x2013;V) curves of the Al2O3/<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Qihao Zhang, Yisong Shen, Jiangwei Liu, Chunming Tu, Dongyuan Zhai, Min He, Jiwu Lu
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	IEEE 2022-01-01
Edice:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Témata:	β-Ga₂O₃ Al₂O₃ MIS capacitor interface trapped charge density
On-line přístup:	https://ieeexplore.ieee.org/document/9916252/
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!