用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器
通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,功率离散度为 0 .1 55d B.
Gorde:
| Egile Nagusiak: | , , , |
|---|---|
| Formatua: | Artigo |
| Hizkuntza: | Chinês |
| Argitaratua: |
《光通信研究》编辑部
2000-01-01
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| Saila: | Guangtongxin yanjiu |
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2000.05.010 |
| Etiketak: |
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