טוען...

Nanoscale transistors device physics, modeling and simulation /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Lundstrom, Mark S., Guo, Jing.
פורמט: Livro
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US, 2006.
נושאים:
גישה מקוונת:https://minerva.ufrj.br/F/?func=direct&doc_number=000807601&local_base=UFR01
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!