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Nanoscale transistors device physics, modeling and simulation /

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Lundstrom, Mark S., Guo, Jing.
Formato: Livro
Idioma:Inglês
Publicado em: Springer US, 2006
Assuntos:
Acesso em linha:https://minerva.ufrj.br/F/?func=direct&doc_number=000807601&local_base=UFR01
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