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Study and development of low power consumption SRAMs on 28 nm FD-SOI CMOS process /
“... de escala (< 32 nm), outros transistores foram desenvolvidos como sucessores, tais como o fully...”
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Study and development of low power consumption SRAMs on 28 nm FD-SOI CMOS process
Por Olivera Mederos, Luis Fabián
Publicado em 2017-09
“... é do classico dimensionamento "thin-cell”, os comprimentos dos transistores são utilizados como...”
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