Pallecchi, E., Lafont, F., Cavaliere, V., Schopfer, F., Mailly, D., Poirier, W., & Ouerghi, A. (2014). High Electron Mobility in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) via post-growth annealing under hydrogen. Nature Publishing Group.
Trích dẫn kiểu ChicagoPallecchi, E., F. Lafont, V. Cavaliere, F. Schopfer, D. Mailly, W. Poirier, và A. Ouerghi. High Electron Mobility in Epitaxial Graphene On 4H-SiC(0001) Via Post-growth Annealing Under Hydrogen. Nature Publishing Group, 2014.
Trích dẫn MLAPallecchi, E., et al. High Electron Mobility in Epitaxial Graphene On 4H-SiC(0001) Via Post-growth Annealing Under Hydrogen. Nature Publishing Group, 2014.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.