Zizi, M., Byrd, C., Boxus, R., & Colombini, M. (1998). The voltage-gating process of the voltage-dependent anion channel is sensitive to ion flow.
Stile di citazione ChicagoZizi, M., C. Byrd, R. Boxus, e M. Colombini. The Voltage-gating Process of the Voltage-dependent Anion Channel Is Sensitive to Ion Flow. 1998.
Citazione MLAZizi, M., C. Byrd, R. Boxus, e M. Colombini. The Voltage-gating Process of the Voltage-dependent Anion Channel Is Sensitive to Ion Flow. 1998.
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