New Reentrant Insulating Phases in Strongly Interacting 2D Systems with Low Disorder

The metal-insulator transition (MIT) in two-dimension (2D) was discovered by Kravchenko et al. more than two decades ago in strongly interacting 2D electrons residing in a Si-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (Si-MOSFET). Its origin remains unresolved. Recently, low magnetic field re...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Richard L. J. Qiu, Chieh-Wen Liu, Shuhao Liu, Xuan P. A. Gao
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2018-10-01
סדרה:Applied Sciences
נושאים:
metal-insulator transitions
electronic transport in interface structures
quantum Hall effects
גישה מקוונת:http://www.mdpi.com/2076-3417/8/10/1909
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים