An X-Band 40 W Power Amplifier GaN MMIC Design by Using Equivalent Output Impedance Model

This paper presents an X-band 40 W power amplifier with high efficiency based on 0.25 μm GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) on SiC process. An equivalent RC (Resistance Capacitance) model is presented to provide accurate large-signal output impedances of GaN HEMTs with arbitrary dim...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Ruitao Chen, Ruchun Li, Shouli Zhou, Shi Chen, Jianhua Huang, Zhiyu Wang
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: MDPI AG 2019-01-01
Серии:Electronics
Предметы:
X-band
GaN
power amplifier
MMIC
Online-ссылка:http://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/99
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы