Ładuje się......
An X-Band 40 W Power Amplifier GaN MMIC Design by Using Equivalent Output Impedance Model
This paper presents an X-band 40 W power amplifier with high efficiency based on 0.25 μm GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) on SiC process. An equivalent RC (Resistance Capacitance) model is presented to provide accurate large-signal output impedances of GaN HEMTs with arbitrary dim...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI AG
2019-01-01
|
| Seria: | Electronics |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/99 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|