An X-Band 40 W Power Amplifier GaN MMIC Design by Using Equivalent Output Impedance Model

This paper presents an X-band 40 W power amplifier with high efficiency based on 0.25 μm GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) on SiC process. An equivalent RC (Resistance Capacitance) model is presented to provide accurate large-signal output impedances of GaN HEMTs with arbitrary dim...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Ruitao Chen, Ruchun Li, Shouli Zhou, Shi Chen, Jianhua Huang, Zhiyu Wang
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2019-01-01
סדרה:Electronics
נושאים:
X-band
GaN
power amplifier
MMIC
גישה מקוונת:http://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/99
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים