An X-Band 40 W Power Amplifier GaN MMIC Design by Using Equivalent Output Impedance Model

This paper presents an X-band 40 W power amplifier with high efficiency based on 0.25 μm GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) on SiC process. An equivalent RC (Resistance Capacitance) model is presented to provide accurate large-signal output impedances of GaN HEMTs with arbitrary dim...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ruitao Chen, Ruchun Li, Shouli Zhou, Shi Chen, Jianhua Huang, Zhiyu Wang
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI AG 2019-01-01
سلاسل:Electronics
الموضوعات:
X-band
GaN
power amplifier
MMIC
الوصول للمادة أونلاين:http://www.mdpi.com/2079-9292/8/1/99
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة