Memory Window and Endurance Improvement of Hf0.5Zr0.5O2-Based FeFETs with ZrO2 Seed Layers Characterized by Fast Voltage Pulse Measurements

Abstract The HfO2-based ferroelectric field effect transistor (FeFET) with a metal/ferroelectric/insulator/semiconductor (MFIS) gate stack is currently being considered as a possible candidate for high-density and fast write speed non-volatile memory. Although the retention performance of the HfO2-b...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Wenwu Xiao, Chen Liu, Yue Peng, Shuaizhi Zheng, Qian Feng, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao, Min Liao, Yichun Zhou
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: SpringerOpen 2019-07-01
سلاسل:Nanoscale Research Letters
الموضوعات:
HfO2-based FeFET
Memory window
Retention
Endurance
ZrO2 seed layer
الوصول للمادة أونلاين:http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-3063-2
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة