טוען...

Effect of Bi doping on the thermoelectric properties of Mg2Si0.3Ge0.04Sn0.66 compound

N-type Bi-doped Mg2(Si0.3Ge0.04Sn0.66)1-xBix (0<x≤0.03) compounds were successfully fabricated by solid state reaction-spark plasma sintering (SPS). The XRD results indicate that all prepared samples are nearly phase pure Bi-doped solid solutions. The lattice constant and the electrical conductiv...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Jia Ju, Kang Yin, Mengfei Fang, Hong Cai, Huan Liu
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Elsevier 2022-05-01
סדרה:Journal of Materials Research and Technology
נושאים:
גישה מקוונת:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2238785422005439
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!