Ghi lại trích dẫn

Trích dẫn kiểu APA (xuất bản lần thứ 7)
Steiner, J., Schultheiß, J., Wang, S., & Wellmann, P. J. (2023). Fabrication of SiC-on-Insulator (SiCOI) Layers by Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si-in-Insulator Substrates at Low Deposition Temperatures of 1120 °C. MDPI AG.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)
Steiner, Johannes, Jana Schultheiß, Shouzhong Wang, và Peter J. Wellmann. Fabrication of SiC-on-Insulator (SiCOI) Layers by Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si-in-Insulator Substrates at Low Deposition Temperatures of 1120 °C. MDPI AG, 2023.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)
Steiner, Johannes, et al. Fabrication of SiC-on-Insulator (SiCOI) Layers by Chemical Vapor Deposition of 3C-SiC on Si-in-Insulator Substrates at Low Deposition Temperatures of 1120 °C. MDPI AG, 2023.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.