Цитування запису:
Стиль цитування APA (7-ме видання)
Khan, M. A., Yim, S., Rehman, S., Ghafoor, F., Kim, H., Patil, H., . . . Eom, J. (2023). Two-dimensional materials memory devices with floating metal gate for neuromorphic applications. Elsevier.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Khan, Muhammad Asghar, Sungbin Yim, Shania Rehman, Faisal Ghafoor, Honggyun Kim, Harshada Patil, Muhammad Farooq Khan, та Jonghwa Eom. Two-dimensional Materials Memory Devices with Floating Metal Gate for Neuromorphic Applications. Elsevier, 2023.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Khan, Muhammad Asghar, et al. Two-dimensional Materials Memory Devices with Floating Metal Gate for Neuromorphic Applications. Elsevier, 2023.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.