Цитування запису:
Стиль цитування APA (7-ме видання)
Ilić, S., Jevtić, A., Stanković, S., & Ristić, G. (2020). Floating-Gate MOS Transistor with Dynamic Biasing as a Radiation Sensor. MDPI AG.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Ilić, Stefan, Aleksandar Jevtić, Srboljub Stanković, та Goran Ristić. Floating-Gate MOS Transistor with Dynamic Biasing as a Radiation Sensor. MDPI AG, 2020.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Ilić, Stefan, et al. Floating-Gate MOS Transistor with Dynamic Biasing as a Radiation Sensor. MDPI AG, 2020.
Успішно скопійовано в буфер обміну
Не вдалося скопіювати в буфер обміну
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.