Citazioni del record
Citazione Stile APA (7a Edizione)
Kil, T., Kobayashi, T., Shimura, T., & Watanabe, H. (2023). Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing. AIP Publishing LLC.
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Citazione stile Chigago Style (17a edizione)
Kil, Tae-Hyeon, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, e Heiji Watanabe. Design of SiO2/4H–SiC MOS Interfaces by Sputter Deposition of SiO2 Followed by High-temperature CO2-post Deposition Annealing. AIP Publishing LLC, 2023.
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Citatione MLA (9a ed.)
Kil, Tae-Hyeon, et al. Design of SiO2/4H–SiC MOS Interfaces by Sputter Deposition of SiO2 Followed by High-temperature CO2-post Deposition Annealing. AIP Publishing LLC, 2023.
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