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Citação APA (7ª ed.)
Ramesh, R., Stathopoulos, S., Kumar, S., Kumar, S., Levene, H., Yadav, D., . . . Prodromakis, T. (2026). Atomic layer deposited HfZrO4-based memristive devices: Annealing effect and multilevel storage capability. Frontiers Media S.A.
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Citação do estilo Chicago (17ª ed.)
Ramesh, Rahul, Spyros Stathopoulos, Sanjay Kumar, Sanjay Kumar, Hannah Levene, Deepika Yadav, Andreas Tsiamis, e Themis Prodromakis. Atomic Layer Deposited HfZrO4-based Memristive Devices: Annealing Effect and Multilevel Storage Capability. Frontiers Media S.A, 2026.
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Citação MLA (9ª ed.)
Ramesh, Rahul, et al. Atomic Layer Deposited HfZrO4-based Memristive Devices: Annealing Effect and Multilevel Storage Capability. Frontiers Media S.A, 2026.
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Advarsel: Disse citationer er muligvist ikke 100% nøjagtige.