Estudo da perda de energia de ions de hélio canalizados em cristais de silicio - Pimentel, Luciana Moreira. (UFRJ, 1996)
[PT] Realizamos um estudo sistemático do freamento dos ions de He, com energias entre 1.0 e 2.5 MeV, canalizados nas direções (100), (110) e {111} de um cristal de silício. Utilizamos a técnica padrão de retroespalhamento de Rutherford (RBS). Em paralelo, desenvolvemos em programa capaz de simular os resultados obtidos experimentalmente e estudar isoladamente as contribuições para a perda de energia. Verificamos que as predições deste programa concordam com as medidas de perda de energia mencionadas acima. Utilizando este programa, confirmamos que a principal contribuição para o freamento dos ions canalizados dentro do cristal é a sua interação com os elétrons de valência do mesmo. Mediu-se ainda a distãncia de equilíbro de carga para um feixe de He incidindo na direção (100) com energia 2.5 MeV e verificou-se que a distância é de cerca de 650 A.[EN] we have performed a systematic study of the stopping of He ions, with energies ranging between 1.0 and 2.5 MeV, channeled in the (100), (110) and (111) directions of a silicon crystal. We have employed the standard Rutherfor Backcattering technique (RBS). In paralell, we have developed a computer program which allows us to theoretically analyze the exprimental results an to identify the different contributions to the energy loss. Using this program, we have confirmed that the main contribution to the stopping of channeled ions inside the crystal is their interaction with the valence eletrons. We have also measured the charge equilibrium distance for a 2.5 MeV He beam incident along the (100) direction and found that this distance is around 650 A.