Résultats de la recherche - Selvakumar Mariappan

A 0.49 mm2 CMOS Low-Power TVCO Achieving FoM of 190.36 dBc/Hz for 5G New Radio Application par Pravinah Shasidharan, Selvakumar Mariappan, Li Yizhi, Jagadheswaran Rajendran, Mark Wong

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An 0.4–2.8 GHz CMOS Power Amplifier With On-Chip Broadband-Pre-Distorter (BPD) Achieving 36.1–38.6% PAE and 21 dBm Maximum Linear Output Power par Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Yusman M. Yusof, Norlaili M. Noh, Binboga Siddik Yarman

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A 919 MHz—923 MHz, 21 dBm CMOS Power Amplifier With Bias Modulation Linearization Technique Achieving PAE of 29% for LoRa Application par Arvind Singh Rawat, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Pravinah Shasidharan, Narendra Kumar, Binboga Siddik Yarman

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A Wide-Bandwidth PVT-Reconfigurable CMOS Power Amplifier with an Integrated Tunable-Output Impedance Matching Network par Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Narendra Kumar, Masuri Othman, Arokia Nathan, Andrei Grebennikov, Binboga S. Yarman

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A CMOS 180 nm digitally adaptable bandgap voltage reference with integrated 7-bits voltage configurator for 5G wireless communication system par Nishant Kumaran, Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Selvarajah Krishnarajoo, Norhamizah Idros, Narendra Kumar, Asrulnizam A. Manaf

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A CMOS 65nm On-Chip RF Inductor with Hybrid Spiral-Meander Layout Optimization and Ferroelectric Stack-Up Integration for Q-Factor Enhancement par Manibharathee Muniandy, Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Norhamizah Idros, Asrulnizam Abdul Manaf, Narendra Kumar, Arokia Nathan

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A 54 µW CMOS Auto-Trimming Bandgap References (ATBGR) Achieving 90 dB PSRR for Artificial Intelligence of Things (AIoT) Chips par Balamahesn Poongan, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Arvind Singh Rawat, Narendra Kumar, Arokia Nathan, Binboga S. Yarman

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High-Speed CMOS ADCs for 5G New Radio and AI-Edge Systems: Design Trends and Trade-Offs par Norhamizah Idros, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Asrulnizam Abd Manaf, Narendra Kumar, Arokia Nathan, Binboga Siddik Yarman

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A 53-µA-Quiescent 400-mA Load Demultiplexer Based CMOS Multi-Voltage Domain Low Dropout Regulator for RF Energy Harvester par Balamahesn Poongan, Jagadheswaran Rajendran, Li Yizhi, Selvakumar Mariappan, Pharveen Parameswaran, Narendra Kumar, Masuri Othman, Arokia Nathan

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A 16-Level Digital Trimmable CMOS 65nm Bandgap Reference with Process, Voltage, and Temperature Stability par Guo Li Ng, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Norhamizah Idros, Asrulnizam Abdul Manaf, Narendra Kumar, Arokia Nathan

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The Advancement of Radio Frequency Energy Harvesters (RFEHs) as a Revolutionary Approach for Solving Energy Crisis in Wireless Communication Devices: A Review par Loganathan Ramalingam, Selvakumar Mariappan, Pharveen Parameswaran, Jagadheswaran Rajendran, Ram Sharma Nitesh, Narendra Kumar, Arokia Nathan, Binboga Siddik Yarman

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A Review of Engineering Techniques for CMOS On-Chip Inductor Design and Quality Factor Enhancement From MHz-to-GHz Frequency Domains par Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Norhamizah Idros, Asrulnizam Abd Manaf, Narendra Kumar, Abdullah Alghaihab, Arokia Nathan, Binboga Siddik Yarman

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CMOS Radio Frequency Energy Harvester (RFEH) with Fully On-Chip Tunable Voltage-Booster for Wideband Sensitivity Enhancement par Yizhi Li, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Arvind Singh Rawat, Sofiyah Sal Hamid, Narendra Kumar, Masuri Othman, Arokia Nathan

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A State-of-the-Art Review on CMOS Radio Frequency Power Amplifiers for Wireless Communication Systems par Sofiyah Sal Hamid, Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Arvind Singh Rawat, Nuha A. Rhaffor, Narendra Kumar, Arokia Nathan, Binboga S. Yarman

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A CMOS Low Power Current Source Tunable Inductor With 80% Tuning Range for RFIC par Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Shahrolhafiz S. Ibrahim, Sofiyah S. Hamid, Yusman M. Yusof, Norlaili M. Noh, Subhash C. Rustagi, Arjun K. Kantimahanti

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A 65-nm CMOS 1 GS/s 45 mW Hybrid Digital-to-Analog Converter (DAC) With Digital Deglitch Mechanism Achieving 13.83 fJ/step FOM for 5G New Radio Sub-6 GHz Applications par Norhamizah Idros, Jagadheswaran Rajendran, Selvakumar Mariappan, Li Yizhi, Wang Shengquan, Nuha Rhaffor, Narendra Kumar, Abdullah Alghaihab, Arokia Nathan, Binboga Siddik Yarman

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A 28-GHz CMOS-65 nm Dual Mode Class-J Doherty Power Amplifier With Integrated Class-G Driver and Impedance-Modulated- Quadrature-Transformer Achieving 21% Back-Off Efficiency par Selvakumar Mariappan, Jagadheswaran Rajendran, Norhamizah Idros, Sofiyah Sal Hamid, Asrulnizam Bin Abd Manaf, Narendra Kumar, Abdullah Alghaihab, Arokia Nathan, Binboga Siddik Yarman

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