Αποτελέσματα αναζήτησης - J. Molina-R.

  • Εμφανίζονται 1 - 1 Αποτελέσματα από 1
Περιορισμός αποτελεσμάτων
Λίστα   Πλέγμα  
  1. 1

    Óxido de silicio SOG como dieléctrico de compuerta recocido a 200°C από M. A. Domínguez-J., P. Rosales-Q., A. Torres-J., J. Molina-R., M. Moreno-M., C. Zúñiga-I., W. Calleja-A, Felipe Coyotl-M.

    Εκδόθηκε σε Superficies y vacío (2011)
    Λήψη πλήρους κειμένου
    Artigo
    Προσθήκη στα αγαπημένα
    Αποθηκεύτηκε σε:

Εργαλεία αναζήτησης: