Resultados de búsqueda - Eickhoff M.

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    Investigation of composition and origin of the intermediate layers at the Ga2O3/AlN and Ga2O3/Al2O3 interfaces por Schowalter Marco, Raghuvansy S., Karg A., Vogt P., Schlom D., Jena D., Eickhoff M., Rosenauer A.

    Publicado 2024-01-01
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